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三星电子推出了首款通用闪存的UFS 4.0解决方案，该解决方案基于的是该公司第7代V-NAND和一个专有的控制器。UFS 4.0每条通道的速度最高都可达23.2 Gbps，是之前UFS 3.1解决方案的两倍。
更确切地来讲，三星UFS 4.0存储将可以提供高达4,200 MB/s的顺序读取速度和2,800 MB/s的顺序写入速度，大约相当于UFS 3.1存储速度的2倍和1.6倍。
三星方面还声称，UFS 4.0存储芯片的电源效率相对UFS3.1来说也得到了提高。其顺序读取速度每毫安（mA）6.0 MB/s，比UFS 3.1提高了大约46%。而且该款芯片集成了先进的重放保护内存块 (RPMB)，可以用来存储重要的个人数据，这些数据只能通过经过身份验证的访问来读取或写入，据说其设计效率提高了1.8倍。
三星UFS 4.0存储芯片采用了13 x 11 x 1mm封装，可用于5G智能手机、汽车和AR/VR应用。据了解，他们预计会在2022年第三季度开始量产，该芯片具有多种容量、最高容量甚至可以达到1TB。更多的细节你们可以在其公告中找到。如果你们想了解UFS 4.0规范可以访问JEDEC 网站，该规范似乎也是刚刚才发布的。
本文消息来源于Liliputing。
文章翻译者：Taylor Lee，瑞科慧联（RAK）高级嵌入式开发工程师，有丰富的物联网和开源软硬件经验，熟悉行业主流软硬件框架，对行业发展动向有着敏锐的感知力和捕捉能力。