英特尔公布了现在到2025年以后的封装和工艺路线图

Nicholas Dong 董巷

3年前

英特尔在保持新工艺生产进度方面的能力有好有坏，比如他们的10nm工艺，在最终部署到芯片上之前就拖延了很多年。

不过，我猜想他们这种局面未来可能会有所改变。因为，最近英特尔举办了一场活动，在活动中公布了他们从现在到2025年，甚至还要往后的的工艺和封装路线图。包括7nm、4nm、3nm，甚至还有预计在2024/2025年出现的20A工艺代表的亚微米级（1A=0.1纳米）。

面向2025年及以后的英特尔工艺路线图

在流程时间节点方面，以下是未来几年的预期：

英特尔7每瓦性能会提高10%至15%，并将于2021年在Alder Lake为客户提供服务，在Sapphire Rapids为数据中心提供服务。后者预计会在2022年第一季度投入生产。
英特尔4每瓦性能将会比英特尔7提高20%，并且是第一个使用极紫外光刻技术(EUV)的英特尔FinFET节点，它涉及“高度复杂的透镜和反射镜光学系统，聚焦13.5nm的波长光会在硅上打印出令人难以置信的小特征”。英特尔4预计在2022年下半年投入生产，用于2023年出货的产品。包括用户客户服务的Meteor Lake和Granite Rapids的数据中心。
与英特尔4相比，英特尔3预计每瓦性能可以提升18%，在2023年下半年会开始用于生产产品。不过，目前英特尔尚未宣布哪些处理器系列将受益于这个新工艺节点。
英特尔20A预计在2024年出现，采用的是RibbonFET和PowerVia技术。RibbonFET是一种环栅晶体管，可提供更快的晶体管开关速度。与FinFET相比，它能够以更小的占位面积实现与多个鳍相同的驱动电流。PowerVia是背面供电的一种实现方式，无需在晶圆正面进行电源布线，而且可以提供优化的信号布线，同时减少压降和噪声。
英特尔18A已经在开发中，它是对RibbonFET的改进。在2025年，这将会实现晶体管性能的又一次“重大飞跃”。

此次活动，营销团队似乎也有参与。因为Intel7以前是被称为“10nm Enhanced SuperFin”的，而Intel4以前的名字叫“Intel 7nm”工艺节点。我想他们应该是有所修改了。我觉得这应该是取决于你如何测量它，以前，英特尔就解释说这是因为竞争对手有不同测量晶体管尺寸的方法。

另外，此次活动英特尔还谈到了封装创新，比如在即将上市的EOL Lakefield处理器发现使用了现有的Foveros 3D堆叠技术。

用于Intel Xeon Sapphire Rapids数据中心的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）。下一代EMIB将从55微米凸点间距变为45微米。
Foveros并不完全像我们刚提到的那样，但第二代3D堆叠技术确实会出现在MeteorLake客户端产品中。其凸点间距为36微米，瓦片跨越多个技术节点，热设计功率范围从5W到125W。
FoverosOmni是建立在Foveros技术基础上的，它允许对芯片进行分解，并将多个顶部芯片瓦片与多个基础芯片片在混合晶圆厂节点上混合。基于FoverosOmni的处理器应该会于2023年开始量产。
FoverosDirect将与FoverosOmni互补，并在大约同一时间准备就绪。它依赖于低电阻互连的直接铜对铜键合，支持亚10微米的凸点间距，还可以为3D堆叠提供了一个数量级的互连密度增加。

更多详细信息可以在英特尔网站以及Anandtech上找到，其中可以查看到新的英特尔工艺，而且可以与台积电、三星甚至IBM工艺等进行比较。