可提供SPI NOR/NAND闪存替代方案的xSPI MRAM，具有高达400MB/s的读写速度

美国MRAM解决方案的领先供应商Everspin推出了用于工业物联网和嵌入式系统的EMxxLX xSPI MRAM（磁阻随机存取存储器）非易失性存储器解决方案。该解决方案提供了一个可以替代SPI NOR/NAND闪存的方案，其读写速度可以高达400MB/s，存储容量在8Mbit和64Mbit之间。

xSPI MRAM新的JEDEC扩展串行外设接口（xSPI）标准接口和高达200 MHz的时钟频率（xSPI 标准支持的最大频率）让更高的速度成为了可能。其上的所有芯片均能在1.8V下工作。另外，该系列采用的均是24-ball BGA和8-pin DFN封装。

EMxxLX xSPI MRAM的主要特性和规格：

• 存储容量– 8Mb、16Mb、32Mb、64Mb
• 在200MHz的OSPI、DTR下，有400MBps的持续吞吐量可用于读写
• 扩展的SPI（xSPI）总线接口，支持八路、四路、双路和单路SPI协议
• 八通道SPI，高达200MHz的单双传输速率（STR/DTR）
• 高达133MHz、支持SPI、DSPI、QSPI
• 数据耐用性 – 在产品有效期内无限次读取、写入和擦除
• 数据保留 – 最低温度下保留10年
• 符合JEDEC：JESD251、JESD251-1（下载xSPI规范需要免费注册）
• 无需擦除的字节级写入和读取作为持久内存
• 数据完整性 – 无需外部ECC
• 低功耗模式：
  • 待机 – < 350µA (64Mb)
  • 深度节能模式– ~50µA，退出时间 < 100µS
• SPI兼容性：NVSRAM、FRAM、NOR、Toggle MRAM
• 用于编程/擦除的SPI、xSPI命令模拟NOR兼容直接执行（XIP）
• 主存储器外的专用256字节OTP区域 – 可读和用户可锁定，使用 WRITE OTP命令永久锁定，不受回流保护
• 擦除能力 – 芯片/批量擦除和扇区擦除
• 子扇区擦除4KB、32KB粒度
• 安全和写保护
  • 16个可配置的硬件写保护区域，以及顶部/底部选择
  • 上电期间的编程/擦除保护
  • 用于检测用户数据意外更改的CRC命令
• 电压 – 1.65~2.0V (1.8V)
• boot模式配置 – 在x1、x2、x4、x8中的boot
• 提供软件复位和硬件复位引脚
• 3字节和4字节地址模式
• 顺序（突发）读取和写入
• 电子签名 – JEDEC标准3字节签名
• 封装
  • 24-ballBGA、6mm x 8mm（5 x 5阵列）
  • 8-pinDFN、6mm x 8mm（无八路SPI、限制为133 MHz）
• 温度范围 – 商业：0°C至+70°C；工业：-40°C至+85°C

八个主要部件均提供各种封装和温度范围，并以托盘或卷带包装的形式分发。

显然xSPI MRAM的主要亮点是400MB/s的读写速度，因为这个速度是NOR或NAND等闪存设备的数倍，在写入方面甚至更高。JBLopen撰写的一篇文章也列出了该产品的其他好处，比如：在编程之前无需擦除、高效写入（比NAND 低10倍，比NOR低200倍），以及可以兼容旧软件的NOR闪存模式。

目前xSPI MRAM还没有定价信息，但我怀疑MRAM应该比类似的NOR/NAND SPI闪存会贵一点，因此它应该只会应用到那些能让这个额外BoM成本更具有意义的应用当中。比如：“需要频繁写入操作的应用程序（例如保存数据）”、“直接执行（XiP），而且是其中代码未完全加载到RAM中就从闪存执行了”。

Everspin目前已经对外提供EMxxLX xSPI MRAM系列的样品了，他们也计划再今年下半年开始量产。更多的信息，你们可在其产品页面和对应公告中找到。

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